Mg2 离子掺杂Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷的制备及微波介电性能研究文献综述

Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷作为一种重要的微波介质材料，在无线通信、卫星导航、雷达系统等领域有着广泛的应用。

本综述回顾了近年来Mg2 离子掺杂改性Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷的研究进展，重点阐述了Mg2 掺杂对Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷的晶体结构、微观形貌、烧结特性、微波介电性能的影响，并对Mg2 掺杂Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷的制备工艺、改性机理和性能优化进行了探讨。

最后，对Mg2 掺杂Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷未来的研究方向进行了展望。

关键词：Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷；Mg2 掺杂；微波介电性能；制备工艺；改性机理

随着无线通信技术的快速发展，对微波介质材料的性能要求越来越高，尤其是在高频、高Q值、温度稳定性等方面。

Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)陶瓷作为一种重要的复合钙钛矿结构微波介质材料，具有较高的介电常数(εr≈40)、较低的介电损耗(tanδ≈10^-4)和接近零的谐振频率温度系数(τf≈0ppm/℃)，在微波器件领域展现出巨大的应用潜力[1-3]。

然而，BZN陶瓷也存在一些不足之处，例如烧结温度较高(通常高于1350℃)、晶粒生长难以控制等，这限制了其实际应用。

为了改善BZN陶瓷的性能，国内外学者进行了大量的研究，其中离子掺杂改性是一种有效的方法[4-6]。

Mg2 离子作为一种常见的掺杂剂，其离子半径与Zn2 离子相近，易于进入BZN晶格中取代Zn2 离子，从而影响其微观结构和性能。

近年来，Mg2 离子掺杂BZN陶瓷的研究引起了广泛关注。